شرکت سامسونگ از ساخت نسل جدید حافظه‌های رم 10نانومتری خود خبر داده است. این حافظه‌ها بار دیگر در ظرفیت 8 گیگابیت خبر داده است. این حافظه‌ها از نوع DDR4 DRAM هستند که پایه‌ای برای ساخت رم‌های DDR4 اصلی سامسونگ خواهند بود. نسل جدید حافظه‌های رم 10نانومتری سامسونگ نزدیک به 10 درصد سریع‌تر از گذشته بوده و از لحاظ عملکردی نیز تا 15 درصد کارآمدتر از گذشته به حساب می‌آیند. این رم 8 گیگابیتی DDR4 جدید می‌تواند با سرعت 3,600 مگابیت بر ثانیه به‌ازای هر پین عمل کند که نسبت به رقم 3,200 مگابیت بر ثانیه به‌ازای هر پین در نسل قبلی بهبود قابلا ملاحظه‌ای را نشان می‌دهد.
نسل دوم رم‌های DDR4 10نانومتری سامسونگ نیز تا 30 درصد بهبود عملکرد (productivity gain) را در مقایسه با نسل اول تجربه کرده‌اند و سطح کارائی (performance levels) و سرعت آنها نیز به ترتیب 10 و 15 درصد بهبود را نشان می‌دهد.
در سلول‌های نسل جدید DRAM ده نانومتری سامسونگ یک سیستم حسگر جدید تعبیه شده که با دقت بیشتری اطلاعات ذخیره شده در هر سلول را مشخص می‌کند که به تلفیق کاملا بیشتر مداری و بهبود عملکرد در ساخت منجر می‌شود. سامسونگ پروسه تأیید اعتبار DRAM ده نانومتری جدید خود را با سازندگان CPU به پایان رسانده و در پله بعدی قصد همکاری با مشتریان جهانی خود برای ساخت و توسعه نسل بعدی سیستم‌های کارآمد را دارد. سامسونگ یکی از شرکت‌های فعال در این زمینه است و مهرماه سال گذشته نیز اولین رم 8 گیگی LPDDR4 را وارد بازار کرده بود
