شرکت سامسونگ امروز اطلاعیه جالب توجهای را منتشر کرده که دز آن به شروع تولید حافظه 512 گیگابایتی داخلی به فرمی UFS که به صورت خلاصه eUFS نامیده میشود اشاره شده است. ارائه حافظه 512 گیگابایتی در این فرم و با این حجم بالا با فناوری eUFS برای اولین بار این صنعت رخ میدهد و سامسونگ میگوید که قصد دارد تا از این نوع از حافظه در نسل بعدی گوشیهای هوشمند و تبلتهای خود استفاده کند. Jaesoo Han معاون ارشد اجرایی در بخش فروش حافظه و بازاریابی در شرکت سامسونگ الکترونیکس در این بار میگوید:
«حافظه جدید 512 گیگابایتی eUFS بهترین راهحل حافظه داخلی را برای نسل بعدی اسمارتفونهای پیشرفته با فائق آمدن بر محدودیتهای نظری در عملکرد سیستم که میتواند هنگام استفاده از کارتهای microSD رخ داد فراهم میکند. با اطمینان حاصل کردن از ارائه زودهنگام و قابل اطمینان این حافظه داخلی پیشرفته، سامسونگ گام بزرگی رو به جلو برای مشارکت در ارائه زمانبندیشده [و سر وقت] دستگاههای موبایلی نسل بعدی توسط سازندگان موبایل در سرتاسر دنیا بر میدارد.»
به گفته سامسونگ در این نوع از حافظه 512 گیگابایتی ، 8 لایه چیپ 512 گیگابیتی V-NAND و یک کنترلر در یک باکس eUFS که دقیقا به اندازه یک حافظه 256 گیگابایتی eUFS است جای گرفتهاند. سرعت خواندن و نوشتن در این مجموعه میتواند به ترتیب تا 860MB/s و 255MB/s افزایش پیدا کند که این روی کاغذ به معنای انتقال یک فایل 6 گیگابایتی با سرعت 6 ثانیه است (در صورت پشتیبانی هر دو حافظه میداء و مقصد از این سرعت). سامسونگ قصد دارد تولید این حافظه 512GB را به تدریج افزایش یدهد و در عین حال تولید حافظههای فعلی 256GB را نیز با سرعت سابق ادامه دهد. همانطور که در بالا نیز به آن اشاره شد سامسونگ از امکان ارائه این حافظه در نسل بعدی گوشیهای هوشمند خود سخن گفته که این بیش از همه چیز شانس گلکسی S9 را برای دریافت این نوع از حافظه افزایش میدهد.