ساخت اولین حافظه 1 ترابایتی eUFS جهان توسط سامسونگ

0
349
ساخت اولین حافظه 1 ترابایتی eUFS جهان توسط سامسونگ

چند روز پیش اطلاعاتی در مورد گلکسی S10 پلاس با 12 گیگابایت حافظه رم و 1 ترابایت حافظه داخلی منتشر شد که سیمای یک گوشی فوق‌پرچمدار به خوبی ترسیم می‌کرد. شرکت سامسونگ امروز از ساخت اولین حافظه 1 ترابایتی eUFS جهان خبر داد که خبرهای قبلی در مورد این میزان حافظه در گلکسی S10 پلاس را به خوبی تأیید می‌کند. این حافظه 1 ترابایتی که به گفته سامسونگ از امروز وارد چرخه تولید انبوه شده است از لحاظ ابعاد تفاوتی با نسل قبلی این سری با حافظه 512 گیگابایتی نداشته و همچنان 13×11.5 میلی‌متری است.

ساخت اولین حافظه 1 ترابایتی eUFS جهان توسط سامسونگ

برای حفظ ابعاد و دو برابر شدن حجم این حافظه، از 16 لایه حافظه فلش V-NAND و یک کنترلر حافظه جدید استفاده شده که در عین افزایش حجم، در زمینه سرعت نیز تأثیر محسوسی از خود بر جای گذشته است. به گفته سامسونگ، سرعت این حافظه 1 ترابایتی در خواندن ترتیبی (Sequential Read) حداکثر به 1000MB/s افزایش یافته و در نوشتن ترتیبی (Sequential Write) نیز این سرعت به 260MB/s می‌رسد. این دو سرعت در نسل قبلی 512 گیگابایتی به ترتیب 860 و 255 مگابایت بر ثانیه اعلام شده بود که به خصوص در زمینه سرعت خواندن، تغییر بزرگی را در نسل جدید نشان می‌‌دهد.

ساخت اولین حافظه 1 ترابایتی eUFS جهان توسط سامسونگ
مقایسه نسل‌های مختلف حافظه از لحاظ سرعت

 

برای مقایسه میزان سرعت انتقال اطلاعات در این حافظه جدید، بد نیست بدانید یک حافظه کامپیوتری SSD معمولی دارای حداکثر سرعت خواندن 540MB/s است و بدین‌‌ترتیب، حافظه جدید سامسونگ تقریبا دو برابر سرعت بیشتری از یک SSD‌ معمولی ارائه می‌کند.

Cheol Choi معاونت ارشد بخش فروش و بازاریابی حافظه در شرکت سامسونگ الکترونیکس در رابطه با این محصول جدید می‌گوید: «انتظار آن می‌رود که حافظه 1 ترابایتی eUFS مذکور نقشی حیاتی در آوردن تجربه کاربری مشابه نوت‌بوک به نسل آینده دستگاه‌های موبایلی ایفا کند. گذشته از این سامسونگ به تضمین، قابل‌اطمینان‌ترین چرخه تأمین [کالا] و تعداد تولید کافی برای پشتیبانی به‌موقع عرضه اسمارت‌فون‌های پرچمدار آینده در [روند] رشد تسریع‌شده بازار موبایل جهانی متعهد می‌شود»

منبع

ارسال یک پاسخ